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yy.vip易游-洪启集成电路申请碳化硅器件离子注入检测方法专利提升SEM成像的掺杂衬度分辨率

更新时间:2026-02-21点击次数:

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yy.vip易游-洪启集成电路申请碳化硅器件离子注入检测方法专利提升SEM成像的掺杂衬度分辨率

  国家知识产权局信息显示,洪启集成电路(珠海)有限公司申请一项名为“一种碳化硅器件离子注入的检测方法”的专利,公开号CN121510932A,申请日期为2025年9月。

  专利摘要显示,本发明涉及一种碳化硅器件离子注入的检测方法,属于半导体技术领域。本发明所述的碳化硅器件离子注入的检测方法,包括以下步骤:S1、表层去层处理;S2、样品制备;S3、低损伤截面研磨;S4、免镀金低压SEM成像。本发明的碳化硅器件离子注入的检测方法,能够消除碳化硅器件表面结构对成像的干扰,实现碳化硅器件截面无损制备,提升SEM成像的掺杂衬度分辨率,以便于观察获取碳化硅器件离子注入的掺杂分布、注入深度、界面质量等信息。

  天眼查资料显示,洪启集成电路(珠海)有限公司,成立于2019年,位于珠海市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本142.7452万人民币。通过天眼查大数据分析,洪启集成电路(珠海)有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目3次,财产线条,此外企业还拥有行政许可22个。

  声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

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